• Koszyk jest pusty
  • x
Do bezpłatnej dostawy brakuje -,--
Darmowa dostawa!
Suma brutto 0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
Szukaj
0,00 zł
0
  • Koszyk jest pusty
  • x
Do bezpłatnej dostawy brakuje -,--
Darmowa dostawa!
Suma brutto 0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
Zbieraj punkty

zaloguj się i sprawdź ile zyskasz
Szybka wysyłka

zamów i opłać przed 13:00
Darmowa dostawa

do punktu odbioru w Busku-Zdroju
Szybka wysyłka

zamów i opłać przed 13:00
Darmowa dostawa

do punktu odbioru w Busku-Zdroju

  • Dysk SSD HIKSEMI WAVE Pro (P) 512GB PCIe Gen3x4 NVMe M.2 2280 (3500/1800 MB/s) 3D TLC

Dysk SSD HIKSEMI WAVE Pro (P) 512GB PCIe Gen3x4 NVMe M.2 2280 (3500/1800 MB/s) 3D TLC Dysk SSD HIKSEMI WAVE Pro (P) 512GB PCIe Gen3x4 NVMe M.2 2280 (3500/1800 MB/s) 3D TLC
Symbol: HS-SSD-WAVE Pro(P)(STD)/512G/PCIE3/WW
403.00
szt.
Do przechowalni
Zaloguj się aby zbierać punkty które wymienisz na rabaty.
Wysyłka w ciągu 1-2 dni
Cena przesyłki 35
Odbiór osobisty - ul. Sądowa 4, 28-100 Busko-Zdrój 0
Odbiór osobisty - ul. Sądowa 4, 28-100 Busko-Zdrój 0
Kurier (wysyłka z magazynu zewnętrznego) 35
Dostępność 50 szt.
EAN 6974202725747
  • Opis
  • Gwarancja i parametry
  • Informacje dot. bezpieczeństwa
  • Opinie (0)
  • Zadaj pytanie
Pojemność dysku: 512 GB

Format dysku: M.2 2280

Typ dysku: SSD

Typ kości pamięci: 3D NAND

Technika zapisywania danych: TLC

Wsparcie dla technologii TRIM: Tak

Interfejs: M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe

Prędkość odczytu (max): 3500 MB/s

Prędkość zapisu (max): 1800 MB/s

TBW (ang. Total Bytes Written): 224.0

Odczyt losowy: 200000 IOPS

Zapis losowy: 155000 IOPS

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h

Kolor obudowy: Czarny (Black)

Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 3 W, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F), Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)

Gwarancja producenta [mies.]: 60
Pojemność dysku:
512 GB
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Gwarancja producenta [mies.]:
60
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Format dysku:
M.2 2280
Technika zapisywania danych:
TLC
Prędkość odczytu (max):
3500 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Odczyt losowy:
200000 IOPS
Zapis losowy:
155000 IOPS
Prędkość zapisu (max):
1800 MB/s
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
224.0
Typ kości pamięci:
3D NAND

Dane producenta

Hangzhou Hikstorage Technology Co., Ltd
Building 2, 399 Danfeng Road, Binjiang District
310000 Hangzhou
China

salessupport@hiksemitech.com

Osoba odpowiedzialna

INCOM GROUP S.A.
MOKRONOSKA 6
52-407 WROCŁAW
Poland

+48713588000
info@incomgroup.pl

Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.

  • Oceń

Jakość
Funkcjonalność
Cena
Podpis
Opinia
Podpis
E-mail
Zadaj pytanie
Sklep internetowy na oprogramowaniu Sky-Shop.pl sky-shop.pl